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據了解，在KEC獲得該項目的研究成果之前，全球僅有兩家公司能夠量產1200V溝槽型SiC MOSFET。在溝槽型SiC功率半導體上，韓國100%依賴進口。因此，在2017年10月，KEC的“1200V溝槽型SiC MOSFET器件”項目被韓國政府選定為國家項目。

SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路過程中SiC MOSFET的高短路電流會產生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護。同時，電流關斷速率也需要控制在一定范圍內，防止關斷時產生過高的電壓尖峰。

國內SiC產業何時跨入溝槽式？ 從各廠商的動作來看，SiC MOSFET的器件結構似乎在重走IGBT的路，向溝槽型邁進是SiC MOSFET的必由之路。而國內的SiC MOSFET廠商大多是以平面柵為主。就目下而言，平面型SiC MOSFET仍然是主流，對國產廠商而言也是主要的發展路線。

Silvaco TCAD工具模擬過程中的錯誤或警告。 20.8.什么是ATLAS Simulation中的建模技術 20.9.什么是SILVACO和TCAD 3.1.使用Silvaco工具的工藝變化對SOI MOSFET的影響 3.2.

普渡大學的研究人員展示了一種具有多晶硅柵極和多個亞微米鰭的 SiC 三柵極 MOSFET，實現了比溝道電阻降低 3.6 倍。 圖 2：三柵極 SiC MOSFET 中的電流路徑和通道寬度。

清純半導體： 推出首款國產15V驅動SiC Mosfet 清純半導體日前宣布發布國內首款15V驅動的1200V SiC Mosfet器件平臺產品，填補了國內15V驅動SiC Mosfet產品空白，使得國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。

二極管# SiC-MOSFET有平面型與溝槽型，是電力電子應用的主力軍由于柵極氧化物的溝槽角處的電場擁擠，溝槽型MOSFET 的阻斷電壓能力可能低于 DMOSFET# MOSFET 特定導通電阻的組成部分# SiC制造需要特定的設備和開發特定的工藝多個成熟的 Si 工藝已成功轉移到 SiC。

ST率先推出了汽車級SiC MOSFET，并提供了STPOWER? SiC器件，該器件已經為目前上路行駛的500多萬輛乘用車提供動力。Ansys仿真技術可支持ST對影響最終電動汽車應用性能、魯棒性和可靠性的各個方面進行評估。此外，其還通過幫助提高工業電源和可持續能源應用的效率、性能和可靠性，助力支持ST第三代碳化硅MOSFET在其他市場取得成功。

洲中車時代電氣股份有限公司常務副主任、教授級高級工程師劉國友表示，SiC MOSFET成為高壓功率器件的解決方案，越來越多的企業參與其中。高壓SiC MOSFET材料、涉及、工藝技術取得很大進展并逐漸成熟，3300V及以上電壓等級的芯片和模塊逐步商業化。高壓SiC MOSFET應用于軌道交通領域，推動綠色、智能技術發展；在智能電網、飛機、船舶電驅等方面也有很好的應用前景。

IGBT、MOSFET、SiC、GaN的未來隨著5G、高階手機等消費性電子產品及電動車、綠能蓬勃發展，電源組件的高功率與高壓等需求勢必愈來愈重要，未來，IGBT、MOSFET、SiC、GaN組件的發展可能出現何種變量？

奔馳Vision EQXX上路測試 搭載SiC MOSFET 1月4日， 梅賽德斯-奔馳 在其官微展示了一款搭載 SiC MOSFET 的純電動概念車： 奔馳Vision EQXX ，并表示這款車將于今年年中在各種地形上試駕原型車，預計在 2024年 量產。

而泰科天潤已經量產SiC SBD，產品涵蓋600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A系列。深圳基本半導體則擁有3D SiC技術，推出了1200V SiC MOSFET產品。瀚薪獨創集成型碳化硅JMOSFET結構技術，推出全球唯一量產的SiC JMOS產品，實現了碳化硅的DMOSFET和JBS（肖特基二極管）的芯片內集成。

Power Master Semiconductor 將 1200V SiC MOSFET 商業化 P MS表示，此次推出的SiC MOSFET產品是 工業應用 版本，例如太陽能 逆變器 、電動汽車 充電器 和 不間斷電源 設備 等； 下半年，他們還將發布專門針對 電動汽車驅動逆變器 的版本。

SiC MOSFET芯片面積比IGBT小很多，譬如100A 1200V的SiC MOSFET芯片大小大約是IGBT與續流二級管之和的五分之一。因此，在電機驅動應用中，SiC MOSFET的價值能夠得到很好的體現，其中包括650V SiC MOSFET。在耐高壓方面，1200V以上高壓的SiC高速器件，可以通過提高系統的開關頻率來提高系統性能，提高系統功率密度。

“在這些應用中，關鍵的工藝步驟是在 SiC 晶圓本身上制的，”Haynes 說。“SiC外延、高溫/高能離子注入和高溫退火是關鍵步驟。用于 MOSFET 制造的 SiC 溝槽蝕刻也很關鍵，高質量離子注入掩模和退火 帽的沉積也很重要，以防止在退火期間從襯底中損失碳。在 BEOL 中，厚金屬加工和高性能鈍化沉積是關鍵。”

報告還提到，士蘭微 SiC功率器件 的 中試線 已在2021年 二季度實現通線 ，目前已完成 車規級 SiC-MOSFET器件 的研發，正在做全面的可靠性評估，將要送客戶評價并開始 量產 。 而且，士蘭微已著手在 廈門士蘭明鎵公司 建設一條 6吋 SiC 功率器件芯片 生產線 ，預計在今年 三季度 實現通線。

今年4月，天岳先進通過車規級IATF16949體系認證，襯底產品參數指標基本都滿足SiC MOSFET器件標準，為未來產片實現車規認證提供可能。而前幾天，天岳獲得了近14億的6英寸導電型SiC襯底訂單。

但近期全球汽車市場卻用實際行動表達了對SiC的支持，如全球第四大汽車集團Stellantis近期宣布，已與多家供應商簽訂包括SiC在內的半導體合作協議，總價值超80億元；博格華納向安森美SiC產品下定金額超72億元；瑞薩電子也與Wolfspeed簽署了一份為期10年的碳化硅晶圓供應協議…… 從行業趨勢看，SiC上車將不減反增，日前媒體報道，中國電科SiC MOSFET累計出貨量突破1200

公告稱，該項目建成達產后，將現有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝 槽柵SiC MOSFET芯片 研發能力，將現有4英寸SiC芯片線提升到 6英寸 ，將現有4英寸SiC芯片線年1萬片/年的能力提升到 6英寸 SiC芯片線 2.5萬片/年 。

與硅相比， 相同規格的碳化硅基 MOSFET 和硅基 MOSFET 相比，導通電阻降低為 1/200，尺寸 減小為 1/10;相同規格的使用碳化硅基 MOSFET 和使用硅基 IGBT 的逆變器相比， 總能量損失小于 1/4。這些特點為碳化硅材料在光伏逆變器、高頻器件中的應用提 供了有力的支撐。